Samsung rompe récord trimestral en semiconductores con ganancias operacionales de 89,2 billones de won en memoria

  • La división DS representa el 99% de las ganancias operacionales de la empresa con margen operativo del 70%

  • Inversión en I+D de 16 billones de won aumenta 41% respecto al trimestre anterior; inicio de construcción de fab2 Taylor en EE.UU. este año

  • Crecimiento de semiconductores en segundo semestre proyectado; ganancia operacional anual estimada en 380 billones de won

Gráfico del equipo de gráficos de Ajou Economics
[Foto=Equipo de gráficos de Ajou Economics]

Samsung Electronics estableció nuevamente un récord trimestral con resultados de su división de semiconductores. El sector de memoria de semiconductores lideró el crecimiento de ganancias, siendo responsable del 99% de las utilidades de la empresa. Se anticipa que la demanda de memoria continuará en el segundo semestre del año, por lo que Samsung planea concentrarse en fortalecer la competitividad de semiconductores avanzados como la memoria de gran ancho de banda de próxima generación (HBM).

Samsung Electronics reportó el 30 de agosto ingresos por 127,5 billones de won en su división de semiconductores (DS) para el segundo trimestre de 2026, con ganancias operacionales de 89,2 billones de won. El margen de ganancia operativa de la división DS alcanzó el 70%, y se estima que solo el negocio de memoria dinámica (D-RAM) generó márgenes de ganancias superiores al 80%. La división de semiconductores fue responsable del 99,7% de las ganancias operacionales de toda la empresa.

El aumento fue impulsado por el alza de precios de semiconductores de memoria debido a la expansión de inversiones en infraestructura de inteligencia artificial (IA). La expansión de ventas de productos de alto valor agregado como HBM también contribuyó significativamente. En particular, Samsung posee la mayor capacidad de producción entre los tres principales proveedores mundiales de memoria, lo que le permite obtener los mayores beneficios del aumento de precios de D-RAM y NAND genéricos. El volumen de producción de obleas de Samsung basado en D-RAM se sitúa en aproximadamente 650.000 a 700.000 obleas mensuales.

Un portavoz de Samsung Electronics señaló: "Los volúmenes de envío aumentaron a clientes de hiperscala en todos los productos de memoria, incluidos D-RAM, NAND Flash y HBM". Agregó: "Con el suministro completo de HBM4 y otros avances, los envíos aumentaron un 10% en comparación con el trimestre anterior, mientras que D-RAM registró un crecimiento de un dígito, logrando el volumen de ventas más alto en la historia de la empresa".

Se prevé que la escasez de suministro de memoria se extenderá hasta 2028. Los contratos de suministro a largo plazo (LTA) están ganando terreno como medida para asegurar la estabilidad del suministro. Samsung indicó: "Estamos planificando contratos de suministro a largo plazo en el rango del 60% al 70% de nuestra capacidad total de producción de memoria". Agregó: "A medida que se difunde la perspectiva de un déficit de suministro prolongado, muchos clientes solicitan contratos de suministro plurianuales". Samsung ya ha completado acuerdos con cinco principales proveedores de centros de datos a nivel mundial y está negociando contratos adicionales con cinco grandes clientes relacionados con la demanda de IA.

El crecimiento del negocio de HBM también se está acelerando. Samsung ocupó el segundo lugar en el mercado global de HBM en el primer trimestre de 2026, con una participación del 21%, por detrás de SK Hynix (58%). Se espera que las ventas de HBM4, la sexta generación de HBM, se tripliquen en el tercer trimestre, y se proyecta que las ventas de HBM4 en el segundo semestre representen más del 60% de las ventas totales de HBM.

Samsung planea fortalecer la tecnología de HBM de próxima generación y aumentar la competitividad de su negocio de fundición. Tras aplicar procesos de 4 nanómetros de cuarta generación a HBM4 y HBM4E, Samsung tiene planeado llevar el rendimiento y la eficiencia energética a un nivel superior con procesos de 2 nanómetros para HBM5. Samsung enfatiza que es una empresa de semiconductores integral que realiza tanto memoria como fundición y empaque. Un portavoz de Samsung declaró: "Se espera que el número de proyectos de pedidos de 2 nanómetros este año se expanda más del doble en comparación con el año anterior". Añadió: "Esperamos lograr la rentabilidad en la división de fundición en el futuro próximo".

Samsung no escatima inversión para asegurar liderazgo tecnológico. Los gastos en investigación y desarrollo del segundo trimestre alcanzaron un máximo histórico de 16 billones de won, un aumento del 41% respecto al trimestre anterior. La inversión de capital (CAPEX) del segundo trimestre también fue de 16,8 billones de won, 5,5 billones de won más que el trimestre anterior. En la división de fundición, Samsung espera poner en funcionamiento la fab1 Taylor en Estados Unidos antes del final del año, y planea iniciar la construcción de la fab2 Taylor para expandir la capacidad de 2 nanómetros antes de finales de año, con un objetivo de producción en masa en 2030.

El sector de valores anticipa que la racha de buenos resultados continuará en el segundo semestre. KB Securities estima que los precios de memoria en el tercer trimestre aumentarán al menos un 30% y proyecta ingresos y ganancias operacionales de Samsung para el tercer trimestre en 209 billones de won y 110 billones de won respectivamente, esperando una tercera sorpresa de ganancias consecutiva. Las proyecciones de ganancias operacionales anuales para este año se sitúan en torno a 380 billones de won, y algunos analistas mencionan la posibilidad de superar los 400 billones de won.




* Este artículo ha sido traducido por IA.