Samsung apila HBM sobre aceleradores de IA para reducir distancia de transferencia de datos; rendimiento 8 veces superior al HBM5
Samsung presenta V10 NAND con tecnología de unión de obleas; respuesta integrada desde diseño hasta empaquetado
![Imagen de producto Samsung Electronics V10 BV-NAND [Foto=Samsung Electronics]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/08/05/20260805061153317844.jpg)
Samsung Electronics presentó una estructura de memoria tridimensional de próxima generación que apila directamente memoria de alto ancho de banda (HBM) sobre aceleradores de inteligencia artificial. La empresa se aleja del enfoque de disposición horizontal tradicional del HBM existente, reduciendo la distancia de transferencia de datos y el consumo de energía, mientras concreta una estrategia integral que combina diseño, producción y empaquetado de semiconductores de IA.
Samsung Electronics presentó por primera vez maquetas del «zHBM» de próxima generación y «zNAND-O» en la «FMS 2026», celebrada del 4 al 6 de agosto (hora local) en Santa Clara, California, Estados Unidos. La empresa también reveló la memoria V-NAND de décima generación «V10 BV-NAND», apilada con más de 400 capas.
El zHBM difiere de la estructura convencional que posicionaba la memoria HBM junto al acelerador de IA, permitiendo el apilamiento vertical de memoria sobre el acelerador. El enfoque se centra en reducir la distancia de transferencia de datos entre la unidad de procesamiento y la memoria para mejorar el ancho de banda y la eficiencia energética.
Según Samsung Electronics, un sistema basado en zHBM puede multiplicar el rendimiento hasta 8 veces en comparación con HBM5. Se espera que el rendimiento por unidad de potencia mejore hasta 3 veces y que la resistencia térmica se reduzca a menos de la mitad.
Entre el acelerador y la memoria se aplica una capa intermedia con funcionalidades personalizables. Este enfoque permite ajustar la capacidad de memoria, las funciones de procesamiento y la estructura de manejo de datos según los procesadores de IA desarrollados por clientes.
Sin embargo, el producto revelado en esta ocasión es una maqueta y no un producto de producción en serie. La comercialización se definirá tras diseño conjunto con clientes y validación de tecnologías de gestión térmica.
En memoria NAND flash, Samsung también amplió el rango de apilamiento vertical. El zNAND-O combina tecnología V-NAND con electrodos que atraviesan silicio, empaquetando chips NAND en configuraciones de 4 u 8 capas. Se espera que se utilice para mejorar la velocidad de carga de datos y la eficiencia espacial en entornos de IA en dispositivos como smartphones y computadoras personales.
![El 4 de agosto (hora local), durante la «FMS 2026» celebrada en Silicon Valley, Estados Unidos, el vicepresidente ejecutivo Kim Gyeong-ryun de la División de Desarrollo de DRAM de Samsung Electronics realiza una presentación [Foto=Samsung Electronics]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/08/05/20260805090211311797.jpg)
Samsung Electronics también presentó la V10 BV-NAND con más de 400 capas. La empresa aplicó tecnología de unión de obleas que conecta verticalmente celdas y circuitos periféricos fabricados por separado, junto con un método de apilamiento que vincula tres estructuras de celdas.
Mediante esta técnica, Samsung aumentó aproximadamente un 58% la cantidad de datos que pueden almacenarse en la misma área en comparación con la generación anterior. La empresa también mejoró el rendimiento de lectura, escritura y entrada-salida, con planes para responder al mercado de dispositivos de almacenamiento de alta capacidad para centros de datos de IA.
Kioxia también reveló en junio planes para desarrollar flash BiCS de décima generación con más de 400 capas, lo que sugiere que la competencia en NAND evolucionará hacia la reducción conjunta de densidad de integración, consumo de energía y costos de producción, más allá de simples comparaciones de número de capas.
Samsung Electronics también exhibió HBM4E, HBM5 y LPDDR5X-PIM, que realiza cálculos parciales dentro de la memoria, en el evento. A través de los SSD empresariales PM1763 y el producto de ultra alta capacidad BM1773, la empresa también responde a la demanda de dispositivos de almacenamiento necesarios para entrenamiento e inferencia de IA.
Esta presentación de tecnología refleja el movimiento de Samsung Electronics hacia la expansión de su alcance empresarial, pasando de la competencia en rendimiento de productos de memoria por sí solos hacia el diseño conjunto de estructuras de sistemas de semiconductores. A medida que se fortalezca la integración entre aceleradores de IA y memoria, se espera que factores como capacidades de fundición, diseño lógico y empaquetado avanzado tengan un impacto creciente en la competencia por obtener contratos.
Samsung Electronics tiene como objetivo aprovechar su estructura empresarial integrada que combina memoria, diseño de sistemas y semiconductores, junto con capacidades de fundición y empaquetado, para apoyar a clientes desde la etapa de diseño del producto hasta la producción en masa. La gestión estable del rendimiento de fabricación, disipación de calor y costos de empaquetado se considera fundamental para que estas memorias tridimensionales de próxima generación se apliquen efectivamente en productos de clientes.
* Este artículo ha sido traducido por IA.