Ingeniero de Samsung desarrolla tecnología de NAND 3D; ingeniero de SK Hynix desarrolla procesos críticos y producción en masa
Personal clave de YMTC incluye tecnólogos chinos con experiencia en Samsung Electronics y SK Hynix
![Tecnología de Memoria Yangtze (YMTC) [Foto: pantalla de sitio web de YMTC]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/09/01/20260901144440230674.png)
Entre los responsables clave de desarrollo tecnológico y producción de Tecnología de Memoria Yangtze (YMTC), la mayor empresa de memoria NAND flash de China, se encuentran ingenieros chinos que trabajaron anteriormente en Samsung Electronics y SK Hynix.
Según el prospecto de valores presentado por YMTC el 1 de septiembre para su oferta pública inicial (OPI), entre los 11 talentos tecnológicos clave designados por la empresa se encuentran Huo Zongliang (霍宗亮), científico principal e investigador jefe de innovación, y Gu Lixun (顾立勋), gerente de planta del Centro de Procesos de Fabricación, quienes poseen antecedentes laborales en Samsung Electronics y la filial china de SK Hynix, respectivamente.
El personal procedente de Samsung Electronics se dedica al desarrollo de tecnología NAND 3D de YMTC, mientras que el personal procedente de la filial china de SK Hynix se encarga del desarrollo de procesos críticos y la producción en masa.
Huo Zongliang, nacido en 1975, es doctor en microelectrónica e ingeniería de electrónica de estado sólido. Trabajó en la división de investigación y desarrollo (I+D) de Samsung Semiconductor de Corea del Sur, en el Instituto de Investigación en Microelectrónica de la Academia de Ciencias de China, y en XMC (Wuhan), antes de unirse a YMTC en 2016.
Posteriormente, desempeñó los cargos de director técnico (CTO), vicepresidente ejecutivo y científico principal. Según YMTC, Huo Zongliang lideró el desarrollo de China's primer prototipo de memoria flash de nueve capas, así como el desarrollo tecnológico de NAND 3D de primera a quinta generación de la empresa y conectó estos desarrollos con la producción en masa. Hasta la fecha ha obtenido más de 600 patentes de invención.
Actualmente, el Instituto de Innovación liderado por Huo Zongliang se encarga del desarrollo tecnológico, desarrollo de circuitos integrados (IC), procesos de prueba y producto, y dispositivos de memoria flash. Se trata de la organización de I+D central de YMTC, responsable del desarrollo de arquitecturas de NAND de próxima generación, procesos y dispositivos, diseño de circuitos y desarrollo de productos.
Gu Lixun, procedente de la filial china de SK Hynix, se desempeña como responsable de producción en masa en el Centro de Procesos de Fabricación. Nacido en 1985, trabajó en Wuxi Sharp Electronic Components y SK Hynix Semiconductor (China) Limited, antes de unirse a YMTC en 2017. Actualmente ocupa el cargo de gerente de planta del Centro de Procesos de Fabricación.
Según YMTC, Gu Lixun se ha encargado del desarrollo de procesos de grabado húmedo críticos para múltiples generaciones de NAND 3D, equipos especializados y químicos. Posee más de 50 patentes publicadas relacionadas. Participó en el desarrollo de equipos personalizados y componentes necesarios para la producción de NAND 3D, aplicando la tecnología correspondiente en las líneas de producción real.
En YMTC también trabaja personal procedente de otras empresas semiconductoras globales además de Samsung Electronics y SK Hynix, incluyendo Micron e Intel, en organizaciones técnicas y de fabricación. Hua Ziquan, procedente de la filial de Micron en Singapur, desempeña el cargo de gerente de planta del Centro de Procesos de Fabricación. Feng Yaobin, quien trabajó en UMC y Micron, y Hou Chunyuan, procedente de Intel y Micron, trabajan en el Instituto de Innovación.
YMTC está desarrollando actualmente NAND 3D de sexta generación, mientras amplía su línea de productos basada en NAND de quinta generación, incluyendo unidades de estado sólido (SSD) empresariales PCIe 5.ª generación (eSSD), SSD para consumidores y UFS 4.1. La empresa informó que en el primer trimestre se posicionó en el tercer lugar en el mercado global de memoria NAND en términos de ingresos y volumen de envíos. La empresa planea invertir los fondos obtenidos a través de esta OPI en la construcción de líneas de producción, mejoras tecnológicas y desarrollo de tecnología.
* Este artículo ha sido traducido por IA.