Estrategia de cuatro ejes: capacidad, optimización, ancho de banda y eficiencia con hojas de ruta HBM5 y zHBM
Liderazgo en producción de DRAM y NAND: Samsung expande su dominio en memoria para IA
Samsung Electronics ha presentado la estrategia 'CUBE' para superar los límites de la memoria en la era de la inteligencia artificial mediante innovación en estructuras tridimensionales. La compañía no solo se propone apilar memoria a mayor altura, sino incrementar simultáneamente la capacidad, la utilización de datos, el ancho de banda y la eficiencia energética y térmica. Samsung ha ampliado su cartera de productos con HBM5, la próxima generación zHBM y zNAND-O, una solución intermedia entre DRAM y NAND, para reforzar su liderazgo en memoria para IA.
Samsung Electronics anunció que Choi Chang-seok, director senior de la unidad de negocio de memoria de la división DS, presentó esta estrategia tecnológica en la cumbre ejecutiva de memoria de Semicon Taiwan 2026, celebrada el 1 de septiembre en Taipei. CUBE representa cuatro dimensiones clave: Capacidad (Capacity), Optimización (Utilization), Ancho de Banda (Bandwidth) y Eficiencia (Efficiency).
La estrategia se basa en la premisa de que los requisitos de rendimiento de memoria que demanda la IA ya no pueden satisfacerse únicamente mediante la miniaturización de estructuras planas, lo que hace necesario aprovechar activamente las estructuras tridimensionales. En cuanto a la expansión de capacidad, Choi explicó: «Ya no nos limitamos al área del circuito impreso; ahora podemos expandir la memoria verticalmente sin aumentar el tamaño de la placa, con lo que incrementamos la capacidad».
Más allá del simple apilamiento, también es crítico cómo se utiliza cada capa. Choi enfatizó: «La tecnología 3D no es simplemente apilar; lo fundamental es cómo optimizamos el uso de cada capa. Samsung está optimizando la distribución de lógica y memoria para eliminar los retrasos en el procesamiento de datos».
La velocidad de transferencia de datos, que es decisiva para el rendimiento de cálculo en IA, es otro pilar de la estrategia CUBE. Choi señaló: «Al reducir drásticamente la distancia entre dados, podemos crear autopistas verticales de alta velocidad que mejoren significativamente el ancho de banda». La idea es conectar verticalmente los chips para reducir la distancia que recorren los datos y aumentar la velocidad de procesamiento.
El consumo de energía y la disipación térmica también se identifican como desafíos críticos, dado que la creciente cantidad de cálculos en sistemas de IA incrementa el poder requerido para desplazar datos. Choi afirmó: «El objetivo final de la estrategia 3D es reducir la energía necesaria para desplazar un único bit de datos», y agregó: «Estamos aumentando la eficiencia estructural para maximizar el rendimiento por vatio».
Samsung aplicará esta estrategia a los productos HBM de próxima generación. El HBM5, actualmente en desarrollo, tiene como objetivo duplicar el rendimiento en comparación con HBM4E. La compañía planea mejorar el rendimiento por vatio en un 20% y reducir la resistencia térmica en un 20%.
Samsung también está desarrollando zHBM, orientado al periodo posterior a HBM. Los objetivos establecidos son ocho veces el rendimiento y tres veces el rendimiento por vatio en comparación con HBM4E. La resistencia térmica se reducirá entre 75% y 90%. Esta estrategia refleja la conclusión de que, conforme el rendimiento computacional de los aceleradores de IA aumenta rápidamente, la memoria debe mejorar no solo en ancho de banda, sino también en consumo energético y gestión térmica.
Samsung también prepara zNAND-O para cerrar la brecha de rendimiento y capacidad entre DRAM y NAND. El zNAND-O busca aumentar la densidad de bits diez veces respecto a DRAM para albergar grandes volúmenes de datos requeridos por modelos de lenguaje de gran tamaño (LLM), mientras aumenta el ancho de banda de lectura y la eficiencia energética siete veces respecto a NAND. Samsung planea comenzar con el suministro de muestras en 2028.
Junto con el desarrollo de productos de próxima generación, Samsung también aprovecha su base de producción consolidada en los mercados de memoria existentes como fortaleza competitiva en la carrera de memoria para IA. Según Counterpoint Research, Samsung registró una cuota de mercado del 39% en el mercado global de DRAM en el segundo trimestre de 2026, encabezando el ranking. SK Hynix alcanzó 26% y Micron 25%.
Samsung también mantiene el liderazgo en NAND. Según TrendForce, la cuota de mercado de Samsung en NAND en el segundo trimestre fue de 29.3%. Los ingresos aumentaron 70.7% respecto al trimestre anterior, impulsados por el crecimiento en ventas de unidades de estado sólido (SSD) empresariales para servidores de IA.
La capacidad de producción de Samsung se encuentra entre las más grandes de la industria. Omdia proyecta que la capacidad de producción de DRAM de Samsung para 2026 alcanzará aproximadamente 8.175 millones de obleas de 300 mm anuales. Samsung planea expandir su cartera de productos en el mercado de memoria para IA combinando su base de producción consolidada en DRAM genérico y NAND con HBM, SSD empresariales y memoria 3D de próxima generación.
* Este artículo ha sido traducido por IA.