La diferencia de cuota de mercado entre SK Hynix y Samsung se reduce de 37 puntos porcentuales a 17 en un solo trimestre
Samsung podría liderar el mercado HBM4 en la segunda mitad del año; se proyecta que sea número uno el próximo año
Micron expande su capacidad de producción de HBM4; CXMT inicia la producción limitada de HBM3E
![Imagen de memoria de ancho de banda alto (HBM) [Foto=Getty Images Bank]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/09/04/20260904142948217987.jpg)
La competencia por el liderazgo en el mercado de la memoria de ancho de banda alto (HBM), un componente crítico de los semiconductores de inteligencia artificial, se está intensificando. SK Hynix mantiene su posición de liderazgo al ocupar la mitad del mercado, mientras que Samsung Electronics está expandiendo rápidamente su cuota, reduciendo la brecha entre ambas empresas. Conforme la transición de generaciones de HBM3E a HBM4 se generaliza en la segunda mitad del año, también surgen proyecciones de que Samsung Electronics podría liderar el mercado HBM4 el próximo año.
Además, el fabricante estadounidense Micron está expandiendo su capacidad de producción de HBM4, y Changxin Memory Technologies (CXMT) de China también ha comenzado la producción de HBM3E, lo que intensifica aún más la competencia en torno al mercado del HBM.
Según la firma de investigación de mercado Counterpoint Research, el 4 de septiembre, SK Hynix mantuvo su posición de líder en el mercado global de HBM en el segundo trimestre de este año, con una cuota de mercado del 50% en términos de ingresos. Sin embargo, en comparación con el 58% del primer trimestre, esta cifra representa una caída de 8 puntos porcentuales.
Samsung Electronics vio su cuota de mercado aumentar de 21% a 33% durante el mismo período, un incremento de 12 puntos porcentuales. Como resultado, la brecha de cuota de mercado entre SK Hynix y Samsung Electronics se redujo de 37 puntos porcentuales en un trimestre a solo 17 puntos porcentuales. Micron ocupó el tercer lugar con 18%.
A partir de la segunda mitad del año, con el comienzo de los envíos en masa de HBM4, se espera que la competencia entre Samsung Electronics y SK Hynix se vuelva aún más intensa. Aunque actualmente la mayoría de los ingresos del mercado de HBM provienen del HBM3E de quinta generación, el mercado se está reorientando hacia HBM4 a medida que el acelerador de inteligencia artificial de nueva generación de Nvidia, "Vera Rubin", y otros productos incorporan HBM4 de sexta generación.
Samsung Electronics planea expandir sus ingresos de HBM4 en el tercer trimestre en más de tres veces en comparación con el segundo trimestre. SK Hynix también ha completado la estabilización de la tasa de rendimiento de HBM4 y ha comenzado a aumentar la producción. Ambas empresas están acelerando el desarrollo de HBM4E, el producto de nueva generación.
Surgen proyecciones de que la ventaja de mercado que SK Hynix aseguró en HBM3E podría cambiar en HBM4. El banco de inversión global UBS proyecta que Samsung Electronics registrará una cuota de mercado del 41% en el mercado HBM4 el próximo año, superando a SK Hynix (39%) y asumiendo la posición de líder. Estima que el volumen total de envíos de HBM de Samsung Electronics aumentará 124% interanual este año y 137% el próximo año.
KB Securities también proyecta que Samsung Electronics registrará una cuota de mercado del 44% en el mercado HBM4 el próximo año, ocupando el primer lugar. Además, estima que el precio de venta promedio (ASP) de HBM de Samsung Electronics el próximo año aumentará más del doble en comparación con este año.
Micron también está expandiendo su capacidad de producción de HBM4 para perseguir a Samsung Electronics y SK Hynix. Según la industria, Micron agregará hasta 60.000 obleas de capacidad de producción de HBM en base mensual para finales de este año, asegurando un volumen de aproximadamente 100.000 obleas. Esto representa aproximadamente el doble en comparación con los 40.000 a 50.000 niveles mensuales del año pasado.
Se informa que la proporción de producción de HBM4 de 12 capas aumentará de los niveles del 20% al 30% a principios de año hasta un máximo del 50% a finales de año. Micron comenzó la producción en masa de HBM4 de 12 capas en el segundo trimestre de este año, y sus ingresos acumulados de envíos de HBM4 han superado los 1.000 millones de dólares.
También está comenzando el avance de China. CXMT, la principal fabricante de DRAM de China, recientemente ha comenzado la producción limitada de HBM3E. Planea comenzar la producción en masa a partir de 2027 y suministrar a empresas chinas de diseño de semiconductores (fabless) posiblemente en el mismo año. Se informa que T-Head, la subsidiaria de semiconductores de Alibaba, y Cambrian, una empresa china de semiconductores de inteligencia artificial, ya están evaluando el HBM3E de CXMT en sus procesadores.
Originalmente se esperaba que CXMT comenzara la producción en masa de HBM3 este año, pero el ritmo de desarrollo ha acelerado hasta llegar a HBM3E, un nivel superior. Considerando que Samsung Electronics y SK Hynix comenzaron la producción en masa de HBM3E en 2024, existe una brecha tecnológica de aproximadamente tres años en términos del cronograma de producción en masa.
Sin embargo, también hay evaluaciones de que los productos HBM de CXMT tienen menor confiabilidad y velocidad en comparación con los de Samsung Electronics, SK Hynix y Micron. Además, dado que Samsung Electronics y SK Hynix ya están ampliando el suministro de HBM4 e iniciando el desarrollo de HBM4E, todavía existe una brecha en términos de generación de productos.
* Este artículo ha sido traducido por IA.