Refuerzo de 2 nanómetros y empaquetamiento 3D...estabilización de rendimiento en rango del 70%
Chips de IA personalizados para Tesla, Arm y otros gigantes tecnológicos
Capacidad asegurada de 50.000 obleas mensuales...se busca mantener aprobación de pruebas de calidad
![Fotografía de la planta de Taylor de Samsung Electronics en Texas, Estados Unidos [Foto=Samsung Electronics]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/09/13/20260913151547675372.png)
Algunas líneas de la planta de Taylor de la división de fabricación por contrata (fundición de semiconductores) de Samsung Electronics en Texas, Estados Unidos, han iniciado operaciones piloto. Con la introducción de obleas de prueba para fabricación de prototipos, el análisis indica que la construcción de un sistema de producción avanzado a nivel local se vuelve cada vez más realizable.
Según reportes de medios internacionales e información de la industria del 13 de septiembre, la planta de Taylor de Samsung ha comenzado este mes a operar líneas piloto e iniciado formalmente trabajos de optimización y estabilización de procesos. Se reporta que actualmente algunas líneas funcionan en modo piloto con obleas de prueba siendo procesadas.
Sin embargo, la operación piloto oficial de todas las líneas ha sido pospuesta hacia finales de este año dentro del tercer trimestre. La interpretación es que Samsung busca maximizar los rendimientos iniciales mediante configuración de equipos y operación piloto, para así establecer un sistema de suministro completo que coincida con el inicio de producción en masa a principios del próximo año.
La planta de Taylor fue originalmente concebida como una línea de uso general enfocada principalmente en tecnología de 4 nanómetros. Sin embargo, con el crecimiento acelerado del mercado de semiconductores para inteligencia artificial (IA) y el aumento en la demanda de procesos de tecnología de punta ultra-miniaturizada, Samsung Electronics está acelerando sus esfuerzos para implementar directamente líneas de 2 nanómetros con arquitectura Gate-All-Around (GAA) con rendimiento estabilizado y empaquetamiento 3D avanzado. El ajuste fino de los procesos según las especificaciones personalizadas de clientes de gigantes tecnológicos se vuelve aún más crítico.
En consecuencia, la tarea central de las líneas piloto en operación se centra en demostrar rendimientos reales de producción en masa para clientes importantes con volúmenes ya confirmados y lograr que aprueben las pruebas finales de calidad (Quality Test). Samsung Electronics ha confirmado cooperación y asegurado pedidos relacionados con el chip de IA de siguiente generación de Tesla y chips de IA personalizados de 2 nanómetros basados en tecnología Arm. Se considera que el hecho de que los primeros chips de prueba de prototipos funcionados en la línea piloto de Taylor cumplan con los estrictos criterios del cliente en aspectos como rendimiento, disipación térmica y eficiencia energética, y si esto conduce a producción en masa dentro de este año, será el punto de inflexión más crítico para la recuperación del negocio.
Los indicadores internos de estabilidad de procesos muestran condiciones favorables. Según información de la industria, el rendimiento de 4 nanómetros de Samsung se ha estabilizado por encima del 80%. El rendimiento de 2 nanómetros con arquitectura GAA, que anteriormente se mantenía en el rango del 20%, también ha mejorado rápidamente a más del 70% recientemente, lo que asegura competitividad en procesos de tecnología de punta. La capacidad de producción de obleas (CAPA) de la planta de Taylor es de aproximadamente 50.000 obleas mensuales, un volumen cercano al de Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) con 80.000 obleas mensuales. Si la estabilización del rendimiento de 2 nanómetros se confirma, podría derivar rápidamente en mejora de rentabilidad, según expertos.
Aun así, a pesar de lograr competitividad tecnológica, el mercado global de fabricación por contrata de semiconductores continúa experimentando presiones al alza y a la baja. Según la firma de investigación de mercado Trendforce, la participación de mercado de Samsung Electronics en fabricación por contrata fue de 5,9% en el segundo trimestre de este año, con una brecha cada vez mayor respecto al líder TSMC (72,5%). La empresa china SMIC en tercer lugar elevó sus ingresos del segundo trimestre un 20% en comparación con el trimestre anterior, acercándose a solo 0,5 puntos porcentuales de distancia.
Un ejecutivo de la industria afirmó: "El logro de un rendimiento de 80% en 4 nanómetros y la mejora del rendimiento de 2 nanómetros con GAA al rango del 70% son indicadores que demuestran que el proceso ha entrado en una fase de estabilización. Si se logra demostrar viabilidad de producción en masa al aprobar las pruebas de calidad de chips personalizados para gigantes tecnológicos, esto representará un impulso de momento sustancial que impulsará el crecimiento de la división de fabricación por contrata".
* Este artículo ha sido traducido por IA.