"El rendimiento de la infraestructura de IA será 20 veces mayor en 2030"...Corea del Sur confía en la continuidad del superciclo de semiconductores

El presidente de SK Hynix, Ahn Hyun: "Desarrollo de HBF con capacidad 10 veces mayor que HBM"

China anuncia aplicación de tecnología "4F²"...Samsung también dice que la está desarrollando

Samsung se apoya en capacidades integrales de semiconductores...SK Hynix destaca cooperación con NVIDIA

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El presidente de SK Hynix, Ahn Hyun, pronuncia un discurso inaugural en la 28.ª Exposición Internacional de Semiconductores (SEDEX 2026) celebrada el 14 de octubre en COEX, Gangnam-gu, Seúl. [Foto=Yonhapnews]

Las perspectivas de que el auge de la industria de semiconductores nacional, impulsado por la expansión de la inversión en inteligencia artificial (IA), se prolongue a largo plazo están ganando respaldo. Mientras el mercado de memoria de alto rendimiento, incluida la memoria de alto ancho de banda (HBM), crece rápidamente debido al aumento de la demanda de inferencia de IA, las empresas nacionales de semiconductores están intensificando la competencia en el desarrollo de tecnologías de próxima generación para contrarrestar el avance tecnológico chino.

Ahn Hyun, presidente ejecutivo de desarrollo (CDO) de SK Hynix, declaró en el discurso inaugural de la "28.ª Exposición Internacional de Semiconductores (SEDEX 2026)" celebrada el 14 de octubre en COEX, Gangnam-gu, Seúl, que "se espera que el rendimiento de la infraestructura de IA sea aproximadamente 20 veces mayor en 2030 que en la actualidad".

El presidente Ahn señaló que la demanda de memoria está aumentando drásticamente a medida que la complejidad computacional, la cantidad de información procesada y el volumen de solicitudes en la inferencia de IA crecen simultáneamente. Explicó especialmente que el "caché KV", que almacena y reutiliza la información procesada por IA, está aumentando, lo que ha convertido el movimiento de datos entre HBM, DRAM y unidades de estado sólido (SSD) en un nuevo cuello de botella de rendimiento.

En respuesta, SK Hynix está ampliando la producción de HBM personalizado, al tiempo que promueve el desarrollo de memoria flash de alto ancho de banda (HBF) con un objetivo de capacidad superior a 10 veces la del HBM, así como DRAM tridimensional apilado directamente sobre chips de procesamiento. El presidente Ahn afirmó que "HBM estándar y HBM personalizado funcionarán en paralelo, pero a largo plazo los productos personalizados se expandirán más".

El avance tecnológico de China en memoria también es un factor competitivo clave para las empresas nacionales. La empresa de memoria china Changxin Memory Technologies (CXMT) ha anunciado que aplicará la tecnología "4F²" (cuatro F cuadradas) en DRAM de servidor de próxima generación. La tecnología 4F² reduce el área de las celdas de DRAM, lo que permite almacenar más datos en el mismo espacio.

Song Jae-hyuk (izquierda), directora de tecnología (CTO) y presidenta de Samsung Electronics, y Ahn Hyun, presidenta ejecutiva de desarrollo de SK Hynix (derecha), visitan el pabellón de SK Hynix en la 28.ª Exposición Internacional de Semiconductores (SEDEX 2026) celebrada el 14 de octubre en COEX, Gangnam-gu, Seúl. [Foto=Park Jin-young, Periodista]

Song Jae-hyuk, directora de tecnología (CTO) y presidenta de Samsung Electronics, respondió afirmativamente cuando se le preguntó sobre el desarrollo de la tecnología 4F². Respecto al estado del desarrollo, fue breve al señalar que "están trabajando diligentemente en ello". Se sabe que tanto Samsung Electronics como SK Hynix han investigado esta tecnología, pero aún no la han aplicado a la producción en masa debido a cuestiones de costos, entre otros factores. Ante el creciente ritmo del desarrollo tecnológico chino, las empresas nacionales están priorizando la adquisición de tecnologías de memoria de próxima generación.

Mientras tanto, ambas empresas presentaron en la exposición sus respectivas estrategias comerciales y tecnologías de semiconductores de IA de próxima generación, destacando sus fortalezas específicas.

Samsung Electronics destacó sus capacidades integrales de semiconductores que abarcan desde memoria hasta servicios de fundición y empaquetado avanzado. Exhibió HBM4E de próxima generación, base de datos HBM4E basada en procesos de 4 nanómetros y zHBM, tecnología de memoria tridimensional, presentando una solución integral de semiconductores para IA. En la "Zona de Clúster de Semiconductores" recientemente establecida, reveló planes de expansión de infraestructura e instalaciones clave de producción, como el parque industrial nacional de Yongin. Se espera que el parque industrial nacional de Yongin, en el que Samsung Electronics invierte aproximadamente 360 billones de wones, comience con la preparación del terreno y la construcción a partir de 2027, con el objetivo de iniciar operaciones de la primera línea de producción en octubre de 2029.

SK Hynix enfatizó la tecnología de memoria de IA centrada en HBM y la cooperación con NVIDIA. En el pabellón de mayor tamaño de la exposición, exhibió modelos de estructura HBM y HBF, DRAM de alto rendimiento para servidores de IA y SSD empresariales. En particular, destacó la relación de cooperación entre ambas empresas mostrando el superchip "Vera Rubin" de NVIDIA y una oblea de HBM con la firma del director ejecutivo (CEO) Jensen Huang. También presentó diversos productos de memoria, incluido RDIMM 3DS de 256GB para servidores y LPDDR6 para dispositivos móviles.

En la "28.ª Exposición Internacional de Semiconductores (SEDEX 2026)" inaugurada el 14 de octubre en COEX, Seúl, personalidades clave como Lee Jun-seok, miembro del Partido de Reforma, Song Jae-hyuk, directora de tecnología (CTO) y presidenta de Samsung Electronics, y Ahn Hyun, presidenta ejecutiva de desarrollo de SK Hynix, posan para una foto conmemorativa frente al pabellón de exposición. [Foto=Park Jin-young, Periodista]

 

* Este artículo ha sido traducido por IA.