Desarrolla procesos de nueva generación en Giheung y produce en serie en Hwaseong y Pyeongtaek; planea segundo fab en Gwangju tras Yongin
Añade cinco líneas en Onyang a instalaciones de apilamiento en Cheonan; crea cinturón de posprocesamiento HBM entre la región metropolitana y Honam
![El presidente de Samsung Electronics, Lee Jae-yong, pronuncia un discurso de bienvenida en la ceremonia de inicio de obras del megaproyecto de la región de Chungcheong en el sitio de construcción del campus Onyang de Samsung Electronics en Asan, provincia de Chungcheongnam-do, el 12 de noviembre. [Foto=Yonhapnews]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/11/12/20261112153349532854.jpg)
Samsung Electronics inauguró el 12 de noviembre la ceremonia de inicio de obras de una línea de ensamblaje de memorias de ancho de banda alto (HBM) con cinco líneas de producción en el campus Onyang de Asan, provincia de Chungcheongnam-do. La compañía avanza en la construcción de un centro de posprocesamiento que vincula el aumento de producción de DRAM para HBM en Pyeongtaek, al norte, con el nuevo fab en Gwangju, al sur. Samsung Electronics planea integrar las instalaciones de apilamiento de HBM existentes en Cheonan con la base de ensamblaje e inspección en Onyang, haciendo que Chungcheong sea responsable de la finalización de los chips. De esta forma, se establece una base de posprocesamiento en el centro de un cinturón de semiconductores que se extiende desde la región metropolitana hacia Honam.
Según fuentes políticas e industria consultadas el 12 de noviembre, Samsung eligió Onyang porque es un centro que ha realizado ensamblaje e inspección de semiconductores desde 1991. En la cercana Cheonan ya existen instalaciones de producción de HBM y empaquetamiento a nivel de oblea (WLP), lo que significa que la tecnología y personal necesarios para convertir chips procesados en productos listos para envío se concentran en ambos lugares.
El HBM4 es un ejemplo representativo de esta división del trabajo. El HBM4 de Samsung contiene tanto una memoria DRAM de sexta generación (1c) de clase 10 nanómetros para almacenamiento de datos como un base die de lógica de 4 nanómetros para controlar la transmisión de señales. La línea de empaquetamiento es donde chips fabricados por separado en procesos de memoria y de fundición se convierten en un único producto. La industria observa que aunque aumenta la producción de DRAM en Pyeongtaek, las instalaciones para apilar, conectar e inspeccionar los chips deben procesar ese volumen para que los clientes reciban mayores cantidades de HBM. Esta es la razón por la cual las inversiones en procesos anteriores en la región metropolitana se acompañan con inversiones en posprocesamiento en Chungcheong.
Cada fábrica en la región metropolitana también tiene su propio rol. Giheung desarrolla procesos de nueva generación y verifica antes de la producción en serie; Samsung planea invertir 20 billones de wones en su complejo de investigación y desarrollo hasta 2030. Hwaseong cuenta con líneas de producción de DRAM y una fundición con tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV), mientras que Pyeongtaek se encarga de la producción en masa de memoria avanzada y fundición de última generación. En particular, la línea 4 de Pyeongtaek está ampliando la capacidad de producción de DRAM 1c que entra en el HBM4.
Los cronogramas de expansión de Pyeongtaek y Onyang están sincronizados. Samsung Electronics anunció que la línea 5 de la segunda fase de Pyeongtaek comenzaría operaciones completas como centro estratégico de producción de HBM en 2028. La línea 5 de Onyang, cuyo inicio de obras se llevó a cabo este día, adelantó su objetivo de operación aproximadamente un año, fijándolo en junio de 2028. Samsung explicó que su inversión de 46 billones de wones en Onyang no es solo el costo de construcción de una única instalación, sino inversión a mediano y largo plazo para equipar el campus con cinco líneas de producción de HBM, de los cuales 40 billones de wones se destinan a equipamiento.
La siguiente zona de expansión de los procesos anteriores en la región metropolitana es el distrito Cheoineup de Yongin. Samsung Electronics decidió construir seis fabs de forma gradual en el Parque Industrial Estatal de Semiconductores de Sistemas Avanzados, separado del campus existente en Giheung, con un objetivo de operación de la primera línea de producción en octubre de 2029. Esta decisión de invertir en Honam representa una perspectiva más allá de esa fecha. Samsung Electronics anunció en junio pasado que invertiría 400 billones de wones en Gwangju para construir dos nuevos fabs. En ese momento, el viceprésidente explicó que se adelantó el momento de preparar las nuevas instalaciones porque la fábrica de Pyeongtaek está en etapa final y el cronograma de inversión en el parque industrial estatal de Yongin también se está acelerando.
Los fabs que se construirán en Gwangju son instalaciones de procesos anteriores que crean circuitos sobre obleas. Según los planes de Samsung, el espacio para fabricar chips se ampliará desde el sur de Gyeonggi hacia Honam. Entre tanto, en Chungcheong se amplía tanto la escala como la funcionalidad del posprocesamiento avanzado aprovechando los centros existentes. Cheonan aumentará y modernizará sus instalaciones para responder a HBM, mientras que Onyang trasladará su enfoque del ensamblaje e inspección general de semiconductores al apilamiento de memorias de alto rendimiento. La industria considera que el significado de Chungcheong no radica tanto en su ubicación geográfica entre ambas regiones, sino en el cambio de los productos que se finalizan en este lugar.
Lee Jae-yong, presidente de Samsung Electronics, enfatizó en la ceremonia de inicio de obras: "Samsung Electronics asumirá una mayor responsabilidad y promoverá activamente megaproyectos no solo aquí en Chungcheong, sino también en las regiones de Honam y Yeongnam, para contribuir al éxito irremplazable de Corea del Sur".
* Este artículo ha sido traducido por IA.