Participación en 'FMS 2026' de Estados Unidos… resultado de colaboración con SanDisk tras 6 meses
![SK Hynix presentó junto con SanDisk la primera especificación estándar de HBF, tecnología de almacenamiento de próxima generación, a través de OCP el 4 de agosto. [Foto=SK Hynix]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/08/04/20260804084508267542.jpg)
SK Hynix anunció el 4 de agosto que presentó junto con SanDisk la primera especificación estándar de HBF, una tecnología de almacenamiento de próxima generación.
SK Hynix presentará HBF como una tecnología clave para resolver el cuello de botella de memoria en la era de la inteligencia artificial (IA) en el evento 'FMS 2026' que se celebra el 4 de agosto (hora local) en el Centro de Convenciones de Santa Clara, California, Estados Unidos.
HBF es una nueva capa de memoria entre la memoria de alto ancho de banda (HBM) y los dispositivos de almacenamiento de gran capacidad (SSD). Se considera una tecnología clave para resolver la degradación de velocidad causada por el aumento exponencial de datos de IA, ya que combina la velocidad del HBM con una capacidad significativamente mayor basada en memoria flash NAND.
Este logro se alcanza aproximadamente 6 meses después del lanzamiento del consorcio en febrero pasado. La especificación presentada implementa chips NAND apilados en 8 y 16 capas, logrando una capacidad máxima de 512 gigabytes (GB). El ancho de banda (velocidad de transferencia de datos por segundo) alcanza hasta 3.0 TB/s.
Adopta el estándar de conectividad de próxima generación UCIe para permitir una integración flexible con diversos semiconductores como unidades de procesamiento gráfico (GPU) y unidades de procesamiento central (CPU).
La especificación se presenta a través de OCP (Open Compute Project), la mayor alianza de colaboración de centros de datos de código abierto del mundo, para ser utilizada como estándar común de la industria. Actualmente, Google y Tenstorrent participan en el consorcio.
SK Hynix presenta también múltiples tecnologías de próxima generación en este evento. Kim Cheon-sung, director de la División de Desarrollo de Soluciones, y Kang Wook-sung, encargado de Planificación de Productos de Próxima Generación, participarán en una sesión de discurso conjunto sobre 'memoria jerárquica' para mejorar la eficiencia de la infraestructura de IA.
En particular, presenta por primera vez en el mundo un oblea NAND 4D de 10ª generación (V10) de 375 capas con eficiencia energética mejorada 2.5 veces y productos basados en la misma. SK Hynix planea comenzar la producción en masa de SSD empresarial (eSSD) basado en este NAND a principios del próximo año.
Kim Cheon-sung, director de división, enfatizó: "A medida que la aplicación de IA se expande rápidamente, surge la necesidad de rediseñar la estructura completa de procesamiento de datos. A través de HBF, presentaremos una nueva arquitectura que expande los límites entre memoria y almacenamiento, mejorando la eficiencia de todo el sistema".
* Este artículo ha sido traducido por IA.