Samsung participa en consorcio global liderado por ASML; investigación conjunta y desarrollo de estándares para transición de máscaras de 6 a 12 pulgadas
La reducción de limitaciones en el 'stitching' de exposición aumenta la productividad; la expansión de tecnología avanzada se extiende desde foundry hasta memoria de punta
![Línea de producción del campus de Pyeongtak de Samsung Electronics [Foto=Samsung Electronics]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/09/08/20260908151410941300.jpg)
Samsung Electronics participará en el consorcio de desarrollo de fotomáscaras de próxima generación de 12 pulgadas liderado por ASML. A partir de 2028, será la primera en la industria en introducir equipos de luz ultravioleta extrema de alta apertura numérica (High NA EUV) en la manufactura avanzada de DRAM. La compañía no solo adoptará los nuevos equipos de exposición, sino que también construirá los estándares de fotomáscaras y el ecosistema de manufactura necesarios para utilizarlos adecuadamente.
Samsung Electronics anunció el 8 de septiembre su participación en el "Consorcio de Máscaras de Gran Tamaño" (Large Size Mask Consortium) de ASML, iniciando investigación conjunta y desarrollo de estándares para máscaras de fotolitografía de 12 pulgadas. El objetivo es realizar la transición desde las máscaras de 6 pulgadas actualmente utilizadas en los procesos de exposición hacia máscaras de 12 pulgadas.
La fotomáscara es un molde que contiene los patrones de circuitos semiconductores grabados. Dado que los equipos de exposición proyectan luz a través de la máscara para implementar circuitos en obleas, la precisión y especificaciones de la máscara adquieren mayor importancia conforme avanza la miniaturización de los procesos.
En la tecnología High NA EUV, debido al área de exposición más estrecha que la tecnología anterior, puede ser necesario el "stitching" (costura), un proceso mediante el cual se dividen y exponen múltiples secciones de un chip grande para posteriormente conectarlas. El uso de máscaras de 12 pulgadas permitirá reducir estas limitaciones, simplificar las etapas de proceso y aumentar la productividad.
Las máscaras de fotolitografía de gran tamaño de 12 pulgadas han sido debatidas en la industria semiconductora como una alternativa para mitigar los problemas de stitching inherentes a High NA EUV. No obstante, dado que es necesario modificar toda la cadena de suministro—desde la oblea matriz de la máscara, pasando por la grabación de circuitos, inspección, transporte, hasta los equipos de exposición—, se considera que la creación conjunta de estándares por parte de fabricantes de equipos, empresas semiconductoras y el ecosistema de máscaras es un factor crítico para la comercialización.
Samsung Electronics planea aplicar High NA EUV a la manufactura avanzada de DRAM a partir de 2028. La tecnología permite implementar circuitos más finos que los logrados con EUV anterior, lo que posibilita retrasar los límites de miniaturización del DRAM y reducir los múltiples ciclos de procesamiento de patrones requeridos actualmente.
Samsung Electronics fue pionera en la aplicación de EUV en la producción en masa de DRAM, reduciendo significativamente los procesos de múltiples patrones y aumentando la productividad. En esta ocasión, la estrategia consiste en expandir la tecnología avanzada de exposición, previamente implementada en foundry, hacia la memoria, fortaleciendo así la competitividad en la manufactura de DRAM de alto rendimiento para aplicaciones de inteligencia artificial.
Jeon Young-hyun, vicepresidente ejecutivo de Samsung Electronics, declaró: "Continuaremos liderando la manufactura avanzada de semiconductores, abarcando tanto foundry como memoria, y fortaleceremos la colaboración con ASML para establecer las bases tecnológicas necesarias para la 'próxima generación de inteligencia artificial'".
* Este artículo ha sido traducido por IA.