Profesor Choi Woo-seok de la Universidad de Seúl recibe premio mayor por mejorar la estabilidad de interfaz de memoria de alta velocidad
Profesor Kim Hyung-jun de la Universidad de Yonsei gana premio de excelencia por desarrollar tecnología de proceso de electrodos para memoria de próxima generación
![SK Hynix celebró el 16 de septiembre una ceremonia de premiación por invenciones destacadas en proyectos de investigación académica-industrial 2026 en el salón de respeto del campus de Icheon, según anunció la empresa. [Foto=Sala de Prensa de SK Hynix]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/09/16/20260916172548957183.jpg)
SK Hynix ha seleccionado cinco invenciones destacadas de investigaciones realizadas conjuntamente con universidades que pueden potenciar la competitividad tecnológica en memoria de próxima generación. La empresa busca identificar resultados de investigación académica-industrial que puedan conectarse directamente con el desarrollo de productos reales, como interfaces de memoria de alta velocidad y electrodos de próxima generación, con el objetivo de asegurar tecnologías futuras.
SK Hynix celebró el 16 de septiembre una ceremonia de premiación por invenciones destacadas en proyectos de investigación académica-industrial 2026 en su campus de Icheon, según informó la compañía. Desde 2013, la empresa selecciona y premia anualmente invenciones de investigaciones conjuntas académica-industrial que demuestren alto valor tecnológico y de patentes. Este año, tras examinar 26 patentes académica-industriales solicitadas el año anterior, se seleccionaron un premio mayor, un premio de excelencia y tres menciones de honor.
El premio mayor fue otorgado a la patente del profesor Choi Woo-seok de la Universidad de Seúl sobre "diseño de circuitos para transmisión de señales de múltiples niveles de próxima generación". Se trata de una tecnología que reduce el ruido de energía que se genera durante el proceso rápido y eficiente de intercambio de datos entre chips de procesamiento y memoria, mejorando la estabilidad de la transmisión de datos de alta velocidad. La invención recibió reconocimiento por su potencial de aplicación en un contexto donde la velocidad de interfaz de memoria se vuelve cada vez más crucial debido a la expansión de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento.
El premio de excelencia fue otorgado a la tecnología de control de características de material de electrodo y dispositivo para memoria de próxima generación del profesor Kim Hyung-jun de la Universidad de Yonsei. Se trata de una tecnología que permite controlar las características del electrodo y el dispositivo mediante el ajuste de condiciones de proceso, sin requerir materiales adicionales ni procesos complementarios complejos. Fue reconocida por su alto nivel de completitud, habiéndose validado a nivel de dispositivo real y siendo aplicable en el desarrollo de productos.
Las menciones de honor fueron otorgadas a la patente sobre proceso de deposición de celdas SOM verticales del profesor Hwang Chul-sung de la Universidad de Seúl, la tecnología de precursor y proceso para memoria de próxima generación del profesor Choi Byung-jun de la Universidad de Tecnología de Seúl, y la patente sobre circuito de interfaz de alta velocidad M-PHY de próxima generación y UFS 5.0 del profesor Han Jae-deok de la Universidad de Hanyang.
Cha Sun-yong, director del Instituto de Tecnologías Futuras de SK Hynix, declaró: "Esperamos que las patentes destacadas identificadas a través de la cooperación académica-industrial contribuyan a elevar la competitividad tecnológica de la industria semiconductora nacional. Continuaremos proporcionando apoyo activo para que se desarrollen investigaciones desafiantes e innovadoras de manera dinámica".
* Este artículo ha sido traducido por IA.