Discurso de apertura en SEDEX 2026 diagnostica nuevos cuellos de botella de memoria en expansión de inferencia de IA
SK Hynix enfatiza demanda de memoria de IA personalizada y presenta hoja de ruta de tecnologías de próxima generación como HBF
![An Hyun, presidente de Desarrollo General de SK Hynix, presentando en la conferencia magistral de la 28ª Exposición de Semiconductores (SEDEX 2026) celebrada la mañana del 14 en COEX, Seúl. [Foto=reportero Park Jin-young]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/10/14/20261014115354264868.jpg)
SK Hynix ha concretado una estrategia tecnológica dirigida al mercado de memoria de próxima generación más allá de la memoria de alto ancho de banda (HBM). Con el crecimiento acelerado del mercado de inferencia de inteligencia artificial, el movimiento de datos entre memorias se perfila como un nuevo cuello de botella, por lo que la compañía planea mantener su liderazgo en el mercado de semiconductores para IA a través de HBM personalizado, flash de alto ancho de banda (HBF) y DRAM apilado tridimensional.
An Hyun, presidente de Desarrollo General (CDO) de SK Hynix, enfatizó durante su discurso de apertura en la "28ª Exposición de Semiconductores (SEDEX 2026)" celebrada el 14 en COEX, ubicado en Gangnam, Seúl: "Para el crecimiento continuo de la infraestructura de IA, es necesario un enfoque que optimice toda la jerarquía de memoria, más allá de mejorar el rendimiento de memorias individuales".
En su intervención titulada "La dirección de la evolución de la tecnología de memoria en la era de la IA", An Hyun diagnosticó que las limitaciones de la estructura de memoria existente se están poniendo de manifiesto a medida que la demanda de inferencia de IA crece rápidamente. Proyectó que el tamaño de la infraestructura de IA se expandirá 19 veces para 2030 en comparación con este año, mientras que la complejidad del modelo de IA, el volumen de información a procesar y el volumen de solicitudes de inferencia aumentan simultáneamente.
En particular, mientras que anteriormente la diferencia de velocidad entre unidades de procesamiento y memoria constituía el problema principal, en el futuro el movimiento de datos entre diferentes capas de memoria —HBM, DRAM, unidades de estado sólido (SSD) y otras— se convertirá en el nuevo cuello de botella. En consecuencia, es necesario mejorar el rendimiento de la memoria existente a la vez que implementar nuevas tecnologías de memoria entre cada nivel.
En primer lugar, HBM evolucionará hacia productos personalizados diseñados según las especificaciones de cada cliente de sistemas de IA. SK Hynix está desarrollando productos de próxima generación como HBM4E y HBM5, además de preparar HBM personalizado que integre funcionalidades específicas solicitadas por clientes en el die base.
An Hyun señaló: "HBM estándar y HBM personalizado coexistirán, pero a largo plazo la tendencia hacia la personalización se ampliará significativamente. Contamos con múltiples tecnologías clave preparadas para satisfacer plenamente las necesidades de nuestros clientes".
Como tecnología posterior a HBM, la compañía presentó HBF y DRAM apilado tridimensional. HBF es una memoria de próxima generación que aplica la tecnología de apilamiento de HBM a flash NAND. SK Hynix estableció como objetivo de desarrollo lograr un ancho de banda de transferencia de datos equivalente a la mitad del HBM de la misma generación, combinado con una capacidad de almacenamiento superior a diez veces.
La estandarización de HBF también avanza aceleradamente. SK Hynix colabora con socios globales como SanDisk y Google, publicando especificaciones iniciales en el Proyecto de Computación Abierta (OCP) en julio de este año, con planes de finalizar las especificaciones en enero del próximo año. An Hyun subrayó: "Un enfoque donde múltiples clientes y socios colaboran para definir especificaciones, establecer estándares y construir un ecosistema es absolutamente esencial en la era de la IA".
EL DRAM apilado tridimensional es una tecnología que apila DRAM directamente sobre semiconductores de procesamiento como unidades de procesamiento gráfico (GPU). El objetivo es expandir las conexiones de entrada/salida decenas de veces comparado con HBM convencional, mejorando el rendimiento de transferencia de datos y reduciendo el consumo de energía.
La compañía también está desarrollando "Storage-Next", una tecnología de SSD empresarial de próxima generación. Mediante el rediseño de la estructura de NAND y controlador, busca aumentar el rendimiento de procesamiento de entrada/salida entre 4 y 8 veces respecto a los sistemas existentes, promoviendo el desarrollo conjunto con clientes.
An Hyun concluyó: "No vemos la memoria simplemente como un componente en sí mismo. Dado que cada cliente tiene diferentes requerimientos tecnológicos, impulsaremos el crecimiento sostenido del ecosistema de IA mediante nuevas soluciones de memoria".
* Este artículo ha sido traducido por IA.